Di cîhazên elektronîkî de coating ta-c
Serlêdanên ku di cîhazên elektronîkî de ji bo çêkirina TA-C hene:
Tetrahedral karbon amorphous (ta-c) materyalek pirtirîn e ku xwedan taybetmendiyên bêhempa ye ku ew ji bo serîlêdanên cihêreng di cîhazên elektronîkî de pir guncan e. Zehmetiya wê ya bêhempa, berxwedana xwe, hevahengiyek kêm a fraksiyonê, û diruşmeya germî ya bilind, beşdarî performansa zêde, durustî, û pêbaweriya hêmanên elektronîkî bikin.
1.Hard Disk Disk (HDDS): Kevirên Ta-C bi berfirehî ji bo parastina serokên xwendin / nivîsandinê yên di HDD-ê de ji cil û bergên ku bi têkiliya dubare bi dîska spinning ve hatine parastin. Ev temenê xwedêgiravî HDDS dirêj dike û zirara daneyê kêm dike.
2. Sîstemên. Ev operasyona hêsan piştrast dike û jiyana pêkhatên memsê, wek berekên berfê, gyroscopes, û sensorên zextê jî dirêj dike.
3. Devicess Devicess: Kevirên Ta-C li ser amûrên nîvgirava têne sepandin, wek transistor û kargehên yekgirtî, da ku kapasîteyên belavkirina germê zêde bikin. Ev rêveberiya germê ya giştî ya pêkhatên elektronîkî dike, pêşî lê girtina operasyona domdar û pêkanîna operasyona domdar.
4. Connectors 4.Electronic: Kevirên Ta-C li ser girêdanên elektronîkî têne bikar anîn da ku fenomen û cilan kêm bikin, kêmkirina berxwedana pêwendiyê û bi girtina têkiliyên elektronîkî yên pêbawer.
. Ev durust û pêbaweriya amûrên elektronîkî zêde dike.
6.Electromagnict Made (EMI) Shielding: Kincên TA-C dikarin wekî mertalên EMI tevbigerin, pêlên elektromagnetic ên nexwazî asteng bikin û parçekirina hêmanên elektronîkî yên hesas ên ji navbeynkariyê.
7.Anti-Reflective Coats: Kincên Ta-C ji bo afirandina erdên dijî-refleksiyonê di pêkhateyên optîkî de têne bikar anîn, kêmkirina refleksa ronahiyê û başkirina performansa optîkî.
8.Thin-fîlimên elektrodê: Kincên Ta-C dikarin di amûrên elektronîkî de wekî elektrodên fîlimê xizmetê bikin, peydakirina tevgerên elektronîkî û aramiya electricemîk.
Bi tevahî, teknolojiya koçberiya Ta-C di pêşkeftina amûrên elektronîkî de rolek girîng dileyize, beşek ji bo performansa xwe ya baştir, durustî û pêbaweriyê beşdar e.